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IXYS IXFN50N120SK
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
N.º de pieza del fabricante :IXFN50N120SK
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXFN50N120SK-DS
Ficha de datos :
IXFN50N120SK Ficha de datos
IXFN50N120SK Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 159.2000 | $ 159.2 |
| 10+ | $ 141.4000 | $ 1414 |
| 50+ | $ 133.6200 | $ 6681 |
| 100+ | $ 125.2800 | $ 12528 |
En stock: 1518
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 159.2
Total :$ 159.20
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IXFN50N120SK información
IXYS IXFN50N120SK especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:48A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 10mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:115 nC @ 20 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1895 pF @ 1000 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
- Vgs (最大):+20V, -5V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFN50N120SK fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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