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IXYS IXGA42N30C3
IGBT 300V 223W TO263AA
N.º de pieza del fabricante :IXGA42N30C3
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXGA42N30C3-DS
Ficha de datos :
IXGA42N30C3 Ficha de datos
IXGA42N30C3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 300V 223W TO263AA
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.6400 | $ 4.64 |
| 3+ | $ 4.1600 | $ 12.48 |
| 10+ | $ 3.6800 | $ 36.8 |
| 50+ | $ 3.3200 | $ 166 |
En stock: 1029
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 4.64
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IXGA42N30C3 información
IXYS IXGA42N30C3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:223 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):300 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.85V @ 15V, 42A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):250 A
- エネルギーの切り替え:120µJ (on), 150µJ (off)
- ゲートチャージ:76 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:21ns/113ns
- テスト条件:200V, 21A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGA42N30C3 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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