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IXYS IXGT32N120A3
IGBT 1200V 75A 300W TO268
N.º de pieza del fabricante :IXGT32N120A3
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXGT32N120A3-DS
Ficha de datos :
IXGT32N120A3 Ficha de datos
IXGT32N120A3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 75A 300W TO268
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 30+ | $ 5.0401 | $ 151.2 |
| 3000+ | $ 4.9897 | $ 14969.1 |
| 6000+ | $ 4.9393 | $ 29635.8 |
| 9000+ | $ 4.8899 | $ 44009.1 |
| 12000+ | $ 4.8414 | $ 58096.8 |
En stock: 1830
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.0401
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IXGT32N120A3 información
IXYS IXGT32N120A3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:300 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268AA
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):75 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.35V @ 15V, 32A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):230 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:89 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXGT32N120A3 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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