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IXYS IXKN75N60C

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IXKN75N60C
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXKN75N60C-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 55.9530$ 55.95
10+$ 46.8900$ 468.9
50+$ 46.8810$ 2344.05
En stock: 4218
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 55.953
Total :$ 55.95
Entrega :
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Pago :
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IXKN75N60C información

  • IXYS IXKN75N60C especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
  • 消費電力(最大):560W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:Super Junction
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:75A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:36mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3.9V @ 5mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:500 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXKN75N60C fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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