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IXYS IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
N.º de pieza del fabricante :IXTA3N100D2
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXTA3N100D2-DS
Ficha de datos :
IXTA3N100D2 Ficha de datos
IXTA3N100D2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.8140 | $ 5.81 |
| 10+ | $ 4.4460 | $ 44.46 |
| 50+ | $ 3.3570 | $ 167.85 |
| 100+ | $ 3.1140 | $ 311.4 |
| 250+ | $ 3.1050 | $ 776.25 |
En stock: 1906
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.814
Total :$ 5.81
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IXTA3N100D2 información
IXYS IXTA3N100D2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:Depletion Mode
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1000 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.5Ohm @ 1.5A, 0V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:37.5 nC @ 5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1020 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTA3N100D2 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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