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IXYS IXTP20N65X2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
- N.º de pieza del fabricante :IXTP20N65X2
- Fabricante :IXYS
- Dasenic Número de pieza :IXTP20N65X2-DS
- Ficha de datos :
IXTP20N65X2 Ficha de datos - Descripción : MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 3.951Total : $ 3.95
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 3.9510 | $ 3.95 |
| 50 + | $ 2.2064 | $ 110.32 |
| 100 + | $ 3.9510 | $ 395.10 |
| 500 + | $ 1.7362 | $ 868.10 |
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IXYS IXTP20N65X2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-220-3
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220
Disipación de potencia (máxima):290W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):650 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:20A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:185mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.5V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:27 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1450 pF @ 25 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±30V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
ECCN de EE. UU.:EAR99
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTP20N65X2
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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