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IXYS IXXH110N65C4
IGBT 650V 234A 880W TO247AD
N.º de pieza del fabricante :IXXH110N65C4
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXXH110N65C4-DS
Ficha de datos :
IXXH110N65C4 Ficha de datos
IXXH110N65C4 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 650V 234A 880W TO247AD
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 10.6740 | $ 10.67 |
| 3+ | $ 9.6390 | $ 28.92 |
| 10+ | $ 8.4960 | $ 84.96 |
| 30+ | $ 7.6320 | $ 228.96 |
En stock: 8916
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 10.674
Total :$ 10.67
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IXXH110N65C4 información
IXYS IXXH110N65C4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:880 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXXH)
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):234 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.35V @ 15V, 110A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):600 A
- エネルギーの切り替え:2.3mJ (on), 600µJ (off)
- ゲートチャージ:180 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:35ns/143ns
- テスト条件:400V, 55A, 2Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXXH110N65C4 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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