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IXYS IXYA12N250CHV
DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
N.º de pieza del fabricante :IXYA12N250CHV
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXYA12N250CHV-DS
Ficha de datos :
IXYA12N250CHV Ficha de datos
IXYA12N250CHV Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-263D
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 103.0710 | $ 103.07 |
| 50+ | $ 96.3280 | $ 4816.4 |
En stock: 986
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXYA12N250CHV información
IXYS IXYA12N250CHV especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:310 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
- 逆回復時間 (trr):16 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):28 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):2500 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:4.5V @ 15V, 12A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):80 A
- エネルギーの切り替え:3.56mJ (on), 1.7mJ (off)
- ゲートチャージ:56 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:12ns/167ns
- テスト条件:1250V, 12A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYA12N250CHV fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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