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IXYS IXYA15N65C3D1
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
N.º de pieza del fabricante :IXYA15N65C3D1
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXYA15N65C3D1-DS
Ficha de datos :
IXYA15N65C3D1 Ficha de datos
IXYA15N65C3D1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.3580 | $ 2.36 |
| 3+ | $ 2.1240 | $ 6.37 |
| 10+ | $ 1.8720 | $ 18.72 |
| 50+ | $ 1.6920 | $ 84.6 |
En stock: 1744
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 2.358
Total :$ 2.36
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IXYA15N65C3D1 información
IXYS IXYA15N65C3D1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:200 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- 逆回復時間 (trr):20 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):38 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 15A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):80 A
- エネルギーの切り替え:270µJ (on), 230µJ (off)
- ゲートチャージ:19 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:15ns/68ns
- テスト条件:400V, 15A, 20Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYA15N65C3D1 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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