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IXYS IXYP30N120C3
IGBT 1200V 75A 500W TO220
N.º de pieza del fabricante :IXYP30N120C3
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXYP30N120C3-DS
Ficha de datos :
IXYP30N120C3 Ficha de datos
IXYP30N120C3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 75A 500W TO220
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 6.2190 | $ 6.22 |
| 10+ | $ 5.3280 | $ 53.28 |
| 50+ | $ 4.8330 | $ 241.65 |
| 100+ | $ 4.4370 | $ 443.7 |
| 250+ | $ 4.1760 | $ 1044 |
En stock: 4650
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 6.219
Total :$ 6.22
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IXYP30N120C3 información
IXYS IXYP30N120C3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:500 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):75 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.3V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):145 A
- エネルギーの切り替え:2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
- ゲートチャージ:69 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:19ns/130ns
- テスト条件:600V, 30A, 10Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYP30N120C3 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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