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IXYS MIEB101H1200EH
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
N.º de pieza del fabricante :MIEB101H1200EH
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :MIEB101H1200EH-DS
Ficha de datos :
MIEB101H1200EH Ficha de datos
MIEB101H1200EH Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 454.5286 | $ 454.53 |
| 5+ | $ 432.8844 | $ 2164.42 |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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MIEB101H1200EH información
IXYS MIEB101H1200EH especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Tipo de montaje:Chassis Mount
- Paquete / Caja:E3
- Potencia - Máxima:630 W
- Paquete de dispositivo del proveedor:E3
- Configuración:Full Bridge Inverter
- Aporte:Standard
- Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):183 A
- Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):1200 V
- Corriente de corte del colector (máx.):300 µA
- Tipo I G B T:-
- Vce(encendido) ( Máx.) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 100A
- Capacitancia de entrada ( Cies) a Vce:7.43 nF @ 25 V
- Termistor N T C:No
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MIEB101H1200EH fornecido por IXYS
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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