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IXYS MUBW35-12A8
IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3
N.º de pieza del fabricante :MUBW35-12A8
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :MUBW35-12A8-DS
Ficha de datos :
MUBW35-12A8 Ficha de datos
MUBW35-12A8 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 133.8960 | $ 133.9 |
| 5+ | $ 127.5200 | $ 637.6 |
En stock: 1527
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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MUBW35-12A8 información
IXYS MUBW35-12A8 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E3
- パワー - 最大:225 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E3
- 構成:Three Phase Inverter with Brake
- 入力:Three Phase Bridge Rectifier
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1.1 mA
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.1V @ 15V, 35A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:1.65 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MUBW35-12A8 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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