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IXYS MWI30-12E6K

IGBT MODULE 1200V 29A 130W E1
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :MWI30-12E6K
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :MWI30-12E6K-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 1200V 29A 130W E1
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 57.6560$ 576.56
En stock: 2486
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 57.656
Total :$ 57.66
Entrega :
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MWI30-12E6K información

  • IXYS MWI30-12E6K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:E1
  • パワー - 最大:130 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:E1
  • 構成:Three Phase Inverter
  • 入力:Standard
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):29 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):1 mA
  • I G B Tタイプ:-
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 15V, 20A
  • 入力容量 ( Cies) @ Vce:1.18 nF @ 25 V
  • N T Cサーミスタ:Yes
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MWI30-12E6K fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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