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IXYS MWI75-12T7T
IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2
N.º de pieza del fabricante :MWI75-12T7T
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :MWI75-12T7T-DS
Ficha de datos :
MWI75-12T7T Ficha de datos
MWI75-12T7T Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 335.3944 | $ 335.39 |
| 6+ | $ 319.4232 | $ 1916.54 |
En stock: 1599
MOQ :1 PCS
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El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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MWI75-12T7T información
IXYS MWI75-12T7T especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:E2
- パワー - 最大:355 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:E2
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):110 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:4 mA
- I G B Tタイプ:Trench
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.15V @ 15V, 75A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:5.35 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MWI75-12T7T fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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