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IXYS QJ6025NH4RP
N.º de pieza del fabricante :QJ6025NH4RP
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :QJ6025NH4RP-DS
Ficha de datos : QJ6025NH4RP Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 600V HIGH TEMPERATURE TRIAC IN T
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En stock: 2000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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QJ6025NH4RP información
IXYS QJ6025NH4RP especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - TRIACs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263 (D²Pak)
- 構成:Single
- 電流 - 保持 ( Ih) (最大):50 mA
- 電圧 - オフ状態:600 V
- 電流 - オン状態 ( It ( R M S)) (最大):25 A
- 電圧 - ゲートトリガー ( Vgt) (最大):1.3 V
- 電流 - ゲートトリガー ( Igt) (最大):35 mA
- 電流 - 非反復サージ 50、60 Hz ( Itsm):208A, 250A
- トライアックタイプ:Standard
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.30.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
QJ6025NH4RP fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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