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1 : $148.0200

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IXYS UGE1112AY4

DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :UGE1112AY4
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :UGE1112AY4-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 148.0200$ 148.02
12+$ 118.5400$ 1422.48
En stock: 1518
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 148.02
Total :$ 148.02
Entrega :
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Pago :
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UGE1112AY4 información

  • IXYS UGE1112AY4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:UGE
  • サプライヤーデバイスパッケージ:UGE
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):4.2A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:6.25 V @ 7 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 8000 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):8000 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UGE1112AY4 fornecido por IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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