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Linear Integrated Systems Inc. 2N4391 TO-18 3L ROHS
JFET N-CH 40V TO18-3
N.º de pieza del fabricante :2N4391 TO-18 3L ROHS
Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic Número de pieza :2N4391 TO-18 3L ROHS-DS
Ficha de datos :
2N4391 TO-18 3L ROHS Ficha de datos
2N4391 TO-18 3L ROHS Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : JFET N-CH 40V TO18-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.9410 | $ 4.94 |
| 10+ | $ 4.1463 | $ 41.46 |
| 100+ | $ 3.3542 | $ 335.42 |
| 500+ | $ 2.9815 | $ 1490.75 |
| 1000+ | $ 2.5529 | $ 2552.9 |
En stock: 1679
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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2N4391 TO-18 3L ROHS información
Linear Integrated Systems Inc. 2N4391 TO-18 3L ROHS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 200°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Potencia - Máxima:1.8 W
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-18-3
- Tipo F E T:N-Channel
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:14pF @ 20V
- Voltaje - Ruptura ( V( B R) G S S):40 V
- Corriente - Drenaje ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):50 mA @ 20 V
- Voltaje - Corte ( V G S desactivado) @ Id:4 V @ 1 nA
- Resistencia - R D S( On):30 Ohms
- Serie:2N4391
- Embalaje:Bulk
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2N4391 TO-18 3L ROHS fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems fue fundada en 1987 por John H. Hall. Linear Integrated Systems desarrolla y produce los semiconductores de mayor rendimiento de su tipo en la industria. Nuestra línea de productos consta de: JFET duales y simples de canal N y canal P de ruido ultrabajo, conmutadores DMOS laterales de alta velocidad, transistores bipolares, amplificadores BIFET, diodos reguladores de corriente, diodos de baja fuga, MOSFET, PhotoFETS y resistencias controladas por voltaje. Linear Integrated Systems utiliza procesos y diseños patentados y propios para crear sus semiconductores discretos de alto rendimiento. Trabajando en tres instalaciones de fabricación de Silicon Valley, nuestros componentes son líderes mundiales en aplicaciones que van desde la escucha submarina militar hasta la cámara de telescopio espacial más grande que existe. Músicos ganadores de premios Grammy confían en micrófonos que utilizan nuestros componentes, y algunos de los mejores equipos de audio que existen dependen de nuestras piezas para escuchar esta música. Los sistemas que van desde aviones de pasajeros hasta naves espaciales basan sus sensores en nuestros semiconductores. Nuestras instalaciones de diseño y fabricación están ubicadas en el corazón de Silicon Valley, California.
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