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Linear Integrated Systems Inc. LS840 SOIC 8L ROHS
JFET 2N-CH 60V 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :LS840 SOIC 8L ROHS
Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic Número de pieza :LS840 SOIC 8L ROHS-DS
Ficha de datos :
LS840 SOIC 8L ROHS Ficha de datos
LS840 SOIC 8L ROHS Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : JFET 2N-CH 60V 8SOIC
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 8.8740 | $ 8.87 |
| 10+ | $ 7.6032 | $ 76.03 |
| 100+ | $ 6.3357 | $ 633.57 |
| 500+ | $ 5.5904 | $ 2795.2 |
| 1000+ | $ 5.0313 | $ 5031.3 |
En stock: 7080
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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LS840 SOIC 8L ROHS información
Linear Integrated Systems Inc. LS840 SOIC 8L ROHS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:400 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:10pF @ 20V
- 電圧 - ブレークダウン ( V( B R) G S S):60 V
- 電流 - ドレイン ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):500 µA @ 20 V
- 電圧 - カットオフ（ V G S オフ）@ Id:1 V @ 1 nA
- シリーズ:LS840
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- パッケージ:Cut Tape (CT)
- パッケージ:Dasenic-Reel®
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
LS840 SOIC 8L ROHS fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
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