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Linear Integrated Systems Inc. PAD100 TO-72 3L

DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :PAD100 TO-72 3L
Dasenic Número de pieza :PAD100 TO-72 3L-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 45V 50MA TO72-3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 5.8410$ 5.84
10+$ 5.2767$ 52.77
25+$ 5.0314$ 125.79
100+$ 4.3687$ 436.87
250+$ 4.1723$ 1043.08
En stock: 2000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.841
Total :$ 5.84
Entrega :
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Pago :
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PAD100 TO-72 3L información

  • Linear Integrated Systems Inc. PAD100 TO-72 3L especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Estado del producto:Active
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • Paquete / Caja:TO-72-3 Metal Can
  • Paquete de dispositivo del proveedor:TO-72-3
  • Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Tipo de diodo:Standard
  • Corriente - Promedio Rectificado ( Io):50mA
  • Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.5 V @ 5 mA
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr:100 pA @ 20 V
  • Capacitancia @ Vr, F:1.5pF @ 5V, 1MHz
  • Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):45 V
  • Tiempo de recuperación inversa (trr):-
  • Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
  • Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
  • Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.21.0095
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PAD100 TO-72 3L fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems fue fundada en 1987 por John H. Hall. Linear Integrated Systems desarrolla y produce los semiconductores de mayor rendimiento de su tipo en la industria. Nuestra línea de productos consta de: JFET duales y simples de canal N y canal P de ruido ultrabajo, conmutadores DMOS laterales de alta velocidad, transistores bipolares, amplificadores BIFET, diodos reguladores de corriente, diodos de baja fuga, MOSFET, PhotoFETS y resistencias controladas por voltaje. Linear Integrated Systems utiliza procesos y diseños patentados y propios para crear sus semiconductores discretos de alto rendimiento. Trabajando en tres instalaciones de fabricación de Silicon Valley, nuestros componentes son líderes mundiales en aplicaciones que van desde la escucha submarina militar hasta la cámara de telescopio espacial más grande que existe. Músicos ganadores de premios Grammy confían en micrófonos que utilizan nuestros componentes, y algunos de los mejores equipos de audio que existen dependen de nuestras piezas para escuchar esta música. Los sistemas que van desde aviones de pasajeros hasta naves espaciales basan sus sensores en nuestros semiconductores. Nuestras instalaciones de diseño y fabricación están ubicadas en el corazón de Silicon Valley, California.
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Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.

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