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Linear Integrated Systems Inc. PAD5DFN 8L
N.º de pieza del fabricante :PAD5DFN 8L
Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic Número de pieza :PAD5DFN 8L-DS
Ficha de datos : PAD5DFN 8L Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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PAD5DFN 8L información
Linear Integrated Systems Inc. PAD5DFN 8L especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-VFDFN Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (2x2)
- スピード:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):10mA
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 5 mA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 pA @ 20 V
- 静電容量 @ Vr、 F:1.5pF @ 5V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):30 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PAD5DFN 8L fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
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