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Linear Integrated Systems Inc. SST406 SOIC 8L-TR
JFET 2N-CH 50V 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :SST406 SOIC 8L-TR
Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic Número de pieza :SST406 SOIC 8L-TR-DS
Ficha de datos :
SST406 SOIC 8L-TR Ficha de datos
SST406 SOIC 8L-TR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : JFET 2N-CH 50V 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 6.2010 | $ 6.2 |
| 10+ | $ 4.9635 | $ 49.64 |
| 25+ | $ 4.5911 | $ 114.78 |
| 100+ | $ 3.9705 | $ 397.05 |
| 500+ | $ 3.7224 | $ 1861.2 |
En stock: 5445
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 6.201
Total :$ 6.20
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SST406 SOIC 8L-TR información
Linear Integrated Systems Inc. SST406 SOIC 8L-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors
- 製品ステータス:Active
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- シリーズ:SST406
- パワーマックス:300 mW
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- 電圧カットオフ( V G Soff)@ Id:500 mV @ 1 nA
- ドレイン-ソース電圧( Vdss):50 V
- 電圧破壊( V( B R) G S S):50 V
- 電流ドレイン( Idss)@ Vds( Vgs=0):500 µA @ 10 V
- 入力容量( Ciss)(最大)@ Vds:8pF @ 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SST406 SOIC 8L-TR fornecido por Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
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