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MDE Semiconductor, Inc. 30KPA51CA
TVS DIODE BP 51VRWM 86.4VC
N.º de pieza del fabricante :30KPA51CA
Fabricante :MDE Semiconductor, Inc.
Dasenic Número de pieza :30KPA51CA-DS
Ficha de datos :
30KPA51CA Ficha de datos
30KPA51CA Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TVS DIODE BP 51VRWM 86.4VC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 17.8020 | $ 17.8 |
| 10+ | $ 13.2480 | $ 132.48 |
| 100+ | $ 11.5380 | $ 1153.8 |
| 800+ | $ 11.5290 | $ 9223.2 |
En stock: 7095
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 17.802
Total :$ 17.80
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30KPA51CA información
MDE Semiconductor, Inc. 30KPA51CA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:P600, Axial
- Tipo:Zener
- Capacitancia a frecuencia:-
- Paquete de dispositivo del proveedor:P600
- Canales unidireccionales:-
- Voltaje - Separación inversa (típico):51V
- Voltaje - Ruptura ( Mín.):57V
- Voltaje - Sujeción ( Máx.) @ Ipp:86.4V
- Corriente - Pulso pico (10/1000µs):350.7A
- Potencia - Pulso pico:30000W (30kW)
- Protección de líneas eléctricas:No
- Canales bidireccionales:1
- Aplicaciones:General Purpose
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
- ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
30KPA51CA fornecido por MDE Semiconductor, Inc.
MDE Semiconductor, Inc. es un fabricante de dispositivos innovador y orientado a la calidad con un enfoque único en los productos de protección de circuitos. Nuestros productos de diodos supresores de voltaje transitorio están diseñados específicamente para la protección de sistemas electrónicos contra los efectos destructivos de rayos, descargas electrostáticas (ESD), pulsos electromagnéticos nucleares (NEMP) y conmutación inductiva. Todos los dispositivos de silicio se construyen con nuestro famoso proceso de pasivación de vidrio de baja fuga con capacidad de absorción de alta energía de 400 vatios hasta 288.000 vatios. Con nuestro enfoque en productos TVS (diodos supresores de voltaje transitorio), tenemos un amplio conocimiento de los requisitos que cubren una amplia gama de mercados, incluidos las telecomunicaciones, la automoción, la informática y la electrónica industrial. MDE Semiconductor, Inc. es líder del mercado en productos de protección de circuitos y ofrece a los clientes una amplia gama de opciones de diodos supresores de voltaje transitorio estándar y diodos TVS de alta corriente, tiristores y varistores. Nuestras instalaciones de fabricación cumplen con la norma ISO 9001:2015.
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