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Nexperia USA Inc. BAS21QBZ
DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN
N.º de pieza del fabricante :BAS21QBZ
Fabricante :Nexperia USA Inc.
Dasenic Número de pieza :BAS21QBZ-DS
Ficha de datos :
BAS21QBZ Ficha de datos
BAS21QBZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0197 | $ 0.02 |
| 25+ | $ 0.0194 | $ 0.49 |
| 100+ | $ 0.0185 | $ 1.85 |
| 500+ | $ 0.0177 | $ 8.85 |
| 1000+ | $ 0.0167 | $ 16.7 |
En stock: 53586
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.0197
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BAS21QBZ información
Nexperia USA Inc. BAS21QBZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount, Wettable Flank
- パッケージ/ケース:3-XDFN Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:DFN1110D-3
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):250mA (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.25 V @ 200 mA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 nA @ 200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:5pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
- 逆回復時間 (trr):50 ns
- 動作温度 - 接合部:150°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0070
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BAS21QBZ fornecido por Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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