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Nexperia USA Inc. PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
N.º de pieza del fabricante :PMZB600UNELYL
Fabricante :Nexperia USA Inc.
Dasenic Número de pieza :PMZB600UNELYL-DS
Ficha de datos :
PMZB600UNELYL Ficha de datos
PMZB600UNELYL Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.0866 | $ 0.87 |
| 10000+ | $ 0.0433 | $ 433 |
| 20000+ | $ 0.0398 | $ 796 |
| 30000+ | $ 0.0433 | $ 1299 |
| 50000+ | $ 0.0360 | $ 1800 |
En stock: 8237
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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PMZB600UNELYL información
Nexperia USA Inc. PMZB600UNELYL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:3-XFDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DFN1006B-3
- 消費電力（最大）:360mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:600mA (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:620mOhm @ 600mA, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:950mV @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:0.7 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:21.3 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.2V, 4.5V
- Vgs (最大):±8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PMZB600UNELYL fornecido por Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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