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NTE Electronics Inc. IRF350
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
N.º de pieza del fabricante :IRF350
Fabricante :NTE Electronics Inc.
Dasenic Número de pieza :IRF350-DS
Ficha de datos :
IRF350 Ficha de datos
IRF350 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 20.7720 | $ 20.77 |
| 100+ | $ 15.5790 | $ 1557.9 |
| 1000+ | $ 13.5000 | $ 13500 |
En stock: 1529
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Total :$ 20.77
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IRF350 información
NTE Electronics Inc. IRF350 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-204AA, TO-3
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-3
- Disipación de potencia (máxima):150W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):400 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:14A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:400mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 250µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:110 nC @ 10 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:2600 pF @ 25 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
- Vgs (máximo):±20V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRF350 fornecido por NTE Electronics Inc.
Fundada en Nueva Jersey en 1979, NTE Electronics, Inc. ha crecido desde un proveedor de una pequeña ciudad con diez semiconductores en toda su línea hasta convertirse en el mayor proveedor de semiconductores de posventa de la industria. Hoy, nuestra línea de productos consta de más de 23.000 dispositivos. En enero de 2001, NTE adquirió los activos de la división ECG de Philips NA. Con esta incorporación, NTE se convirtió en el líder de la industria en el suministro de componentes electrónicos de posventa de marca privada para el mercado industrial, comercial, de consumo y de MRO. La sede de 40.000 pies cuadrados de NTE en Bloomfield, Nueva Jersey, alberga, bajo un mismo techo, todos los servicios esenciales y el inventario para suministrar continuamente componentes electrónicos a su red mundial de distribuidores autorizados. Los dispositivos NTE se someten a pruebas de calidad, se han utilizado en proyectos espaciales de la NASA, automóviles alemanes, aplicaciones hospitalarias/médicas y en prácticamente todo tipo de artículos de consumo.
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Podemos satisfacer rápidamente las solicitudes de los clientes de componentes electrónicos, incluso de piezas escasas en el mercado.
