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Rochester Electronics FDG326P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
N.º de pieza del fabricante :FDG326P
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FDG326P-DS
Ficha de datos :
FDG326P Ficha de datos
FDG326P Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.1950 | $ 0.2 |
| 25+ | $ 0.1912 | $ 4.78 |
| 100+ | $ 0.1834 | $ 18.34 |
| 500+ | $ 0.1754 | $ 87.7 |
| 1000+ | $ 0.1658 | $ 165.8 |
En stock: 1253
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FDG326P información
Rochester Electronics FDG326P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-88 (SC-70-6)
- 消費電力（最大）:750mW (Ta)
- F E Tタイプ:P-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.5A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:140mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:7 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:467 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 4.5V
- Vgs (最大):±8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDG326P fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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