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Rochester Electronics FDS9933BZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :FDS9933BZ
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FDS9933BZ-DS
Ficha de datos :
FDS9933BZ Ficha de datos
FDS9933BZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : P-CHANNEL POWER MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.4388 | $ 0.44 |
| 25+ | $ 0.4300 | $ 10.75 |
| 100+ | $ 0.4125 | $ 41.25 |
| 500+ | $ 0.3948 | $ 197.4 |
| 1000+ | $ 0.3730 | $ 373 |
En stock: 13328
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.4388
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FDS9933BZ información
Rochester Electronics FDS9933BZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:900mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 P-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4.9A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:46mOhm @ 4.9A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:15nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:985pF @ 10V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDS9933BZ fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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