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Onsemi HGTG18N120BND
IGBT 1200V 54A 390W TO247
N.º de pieza del fabricante :HGTG18N120BND
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :HGTG18N120BND-DS
Ficha de datos :
HGTG18N120BND Ficha de datos
HGTG18N120BND Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT 1200V 54A 390W TO247
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 7+ | $ 1.6200 | $ 11.34 |
| 10+ | $ 1.5876 | $ 15.88 |
| 100+ | $ 1.5390 | $ 153.9 |
| 500+ | $ 1.4904 | $ 745.2 |
| 1000+ | $ 1.4580 | $ 1458 |
En stock: 18816
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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HGTG18N120BND información
Onsemi HGTG18N120BND especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:390 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 逆回復時間 (trr):75 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):54 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:NPT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 18A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):160 A
- エネルギーの切り替え:1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
- ゲートチャージ:165 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:23ns/170ns
- テスト条件:960V, 18A, 3Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HGTG18N120BND fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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