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Onsemi NCD57085DR2G
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
N.º de pieza del fabricante :NCD57085DR2G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NCD57085DR2G-DS
Ficha de datos :
NCD57085DR2G Ficha de datos
NCD57085DR2G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.6110 | $ 1.61 |
| 10+ | $ 1.3050 | $ 13.05 |
| 100+ | $ 1.0980 | $ 109.8 |
| 250+ | $ 0.9540 | $ 238.5 |
| 500+ | $ 0.9360 | $ 468 |
En stock: 8904
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.611
Total :$ 1.61
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NCD57085DR2G información
Onsemi NCD57085DR2G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Isolator Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:Capacitive Coupling
- 承認機関:VDE
- チャンネル数:1
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電流 - 出力高、低:7A, 7A
- 電圧 - 絶縁:2500Vrms
- 電流 - ピーク出力:7A
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 15ns
- コモンモード過渡耐性（最小）:100kV/µs
- 伝播遅延 tp L H / tp H L (最大):90ns, 90ns
- パルス幅歪み（最大）:25ns
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):-
- 電流 - D C順方向（ If）（最大）:-
- 電圧 - 出力供給:3.3V ~ 20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NCD57085DR2G fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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