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Onsemi NGTD13T65F2WP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
N.º de pieza del fabricante :NGTD13T65F2WP
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NGTD13T65F2WP-DS
Ficha de datos :
NGTD13T65F2WP Ficha de datos
NGTD13T65F2WP Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 2.3100 | $ 23.1 |
| 1000+ | $ 1.5400 | $ 1540 |
En stock: 1234
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 2.31
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NGTD13T65F2WP información
Onsemi NGTD13T65F2WP especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.2V @ 15V, 30A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NGTD13T65F2WP fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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