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Onsemi NXH35C120L2C2S1G
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
N.º de pieza del fabricante :NXH35C120L2C2S1G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NXH35C120L2C2S1G-DS
Ficha de datos :
NXH35C120L2C2S1G Ficha de datos
NXH35C120L2C2S1G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 6+ | $ 72.2400 | $ 433.44 |
| 18+ | $ 71.4800 | $ 1286.64 |
| 24+ | $ 71.2800 | $ 1710.72 |
| 60+ | $ 70.6400 | $ 4238.4 |
| 90+ | $ 70.0000 | $ 6300 |
En stock: 1518
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
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Total :$ 72.24
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NXH35C120L2C2S1G información
Onsemi NXH35C120L2C2S1G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
- パワー - 最大:20 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:26-DIP
- 構成:Three Phase Inverter with Brake
- 入力:Three Phase Bridge Rectifier
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):35 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:250 µA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.4V @ 15V, 35A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:8.33 nF @ 20 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NXH35C120L2C2S1G fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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