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Power Integrations SIC1182KQ
8A 1200V ESOP IGBT SIC IN TUBES
N.º de pieza del fabricante :SIC1182KQ
Fabricante :Power Integrations
Dasenic Número de pieza :SIC1182KQ-DS
Ficha de datos :
SIC1182KQ Ficha de datos
SIC1182KQ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 8A 1200V ESOP IGBT SIC IN TUBES
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 8.0370 | $ 8.04 |
| 10+ | $ 7.7940 | $ 77.94 |
| 96+ | $ 7.0920 | $ 680.83 |
| 528+ | $ 6.7500 | $ 3564 |
| 1008+ | $ 6.5340 | $ 6586.27 |
En stock: 5448
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 8.037
Total :$ 8.04
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SIC1182KQ información
Power Integrations SIC1182KQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Isolator Gate Drivers
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
- Tecnología:Magnetic Coupling
- Agencia de aprobación:CSA, UL1577, VDE
- Número de canales:1
- Paquete de dispositivo del proveedor:eSOP-R16B
- Corriente - Salida alta, baja:7.8A, 7.3A
- Voltaje - Aislamiento:5000Vrms
- Corriente - Salida máxima:8A
- Tiempo de subida/bajada (típico):475ns, 447ns
- Inmunidad transitoria de modo común (mín.):35kV/µs (Typ)
- Retardo de propagación tp L H / tp H L (máx.):305ns, 325ns
- Distorsión de ancho de pulso (máx.):-
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Típico):-
- Corriente - C C directa (si) (máx.):-
- Voltaje - Alimentación de salida:18V ~ 28V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8542.39.0001
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIC1182KQ fornecido por Power Integrations
Fundada en 1988, Power Integrations, Inc. (NASDAQ:POWI) es una empresa innovadora líder en tecnologías de semiconductores para la conversión de energía de alto voltaje. Las tecnologías de ahorro de energía, como nuestra tecnología de nitruro de galio PowiGaN™ y nuestra tecnología de eficiencia energética EcoSmart™, evitan el desperdicio de miles de millones de kilovatios-hora de energía cada año, mientras que nuestros chips altamente integrados ahorran miles de millones de componentes electrónicos cada año. Ofrecemos productos y soluciones innovadores, que incluyen conversión de CA a CC, controladores de LED, controladores de compuerta, controladores de motor y soluciones para la automoción. Nuestros productos son componentes fundamentales del ecosistema de energía limpia, que permiten la generación de energía renovable, así como la transmisión y el consumo eficientes de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos electrodomésticos, dispositivos móviles, computadoras e innumerables aplicaciones industriales.
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