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Powerex Inc. QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
N.º de pieza del fabricante :QJD1210011
Fabricante :Powerex Inc.
Dasenic Número de pieza :QJD1210011-DS
Ficha de datos :
QJD1210011 Ficha de datos
QJD1210011 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
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MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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QJD1210011 información
Powerex Inc. QJD1210011 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:900W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:25mOhm @ 100A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 10mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:500nC @ 20V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:10200pF @ 800V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
QJD1210011 fornecido por Powerex Inc.
Powerex, Inc. は、個別デバイス、モジュール、統合高出力半導体ソリューションの大手サプライヤです。同社の幅広い製品ラインには、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、HVIGBT、整流器、サイリスタ、カスタム パワー モジュールおよびアセンブリが含まれます。また、カスタム モジュール、シリコン カーバイド技術、顧客固有のアセンブリにも力を入れています。Powerex は、要求の厳しいアプリケーションに対応するために、ペンシルベニア州ヤングウッドの工場で幅広い整流器およびサイリスタ製品を製造しています。Powerex は、軍用パワー エレクトロニクス アプリケーション、航空機、電気自動車、誘導加熱、産業用ポンプ制御、医療用電源、発電および配電、パルス電力など、多くの市場をサポートしています。Powerex は、1986 年に General Electric Company と Westinghouse Electric Corporation のパワー セミコンダクタ部門の合併によって設立されました。1994 年に、Westinghouse は General Electric と Mitsubishi Electric に株式を売却し、現在この 2 社が Powerex を共同所有しています。
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