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Renesas Electronics NP160N04TDG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
N.º de pieza del fabricante :NP160N04TDG-E1-AY
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :NP160N04TDG-E1-AY-DS
Ficha de datos :
NP160N04TDG-E1-AY Ficha de datos
NP160N04TDG-E1-AY Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 5.8254 | $ 58.25 |
| 800+ | $ 4.8545 | $ 3883.6 |
| 1600+ | $ 4.1566 | $ 6650.56 |
| 2400+ | $ 3.9139 | $ 9393.36 |
En stock: 43
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 5.8254
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NP160N04TDG-E1-AY información
Renesas Electronics NP160N04TDG-E1-AY especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Obsolete
- Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-263-7
- Disipación de potencia (máxima):1.8W (Ta), 220W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):40 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:160A (Ta)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:2mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:270 nC @ 10 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:15750 pF @ 25 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):4.5V, 10V
- Vgs (máximo):±20V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NP160N04TDG-E1-AY fornecido por Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation es un fabricante japonés de semiconductores que ofrece soluciones avanzadas de semiconductores para diversas aplicaciones en los sectores industrial, automotriz, de consumo y otros. La empresa fue fundada en 2003 como una empresa conjunta entre Hitachi, Mitsubishi Electric y NEC Electronics, y tiene su sede en Tokio, Japón. Renesas Electronics ofrece una amplia gama de productos y servicios, incluidos microcontroladores, microprocesadores, sistemas en chips (SoC), dispositivos analógicos y de potencia, dispositivos de memoria y diversos programas y herramientas para el desarrollo de sistemas. Estos productos se utilizan en diversas aplicaciones, como la automotriz, la industrial, los electrodomésticos, los dispositivos móviles y la atención médica. Además de sus productos de hardware, Renesas ofrece programas y herramientas para ayudar a los clientes a desarrollar e implementar sus propias soluciones. Su entorno de desarrollo integrado (IDE) e² studio admite varios idiomas y plataformas, y Renesas ofrece una gama de pilas de programas para diversas aplicaciones. Renesas tiene presencia global, con oficinas e instalaciones de fabricación en Asia, Europa y América.
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