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Renesas Electronics RJU3052SDPD-E0#J2
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252
N.º de pieza del fabricante :RJU3052SDPD-E0#J2
Fabricante :Renesas Electronics
Dasenic Número de pieza :RJU3052SDPD-E0#J2-DS
Ficha de datos :
RJU3052SDPD-E0#J2 Ficha de datos
RJU3052SDPD-E0#J2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 360V 20A TO252
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 1.5303 | $ 15.3 |
| 3000+ | $ 1.0202 | $ 3060.6 |
| 6000+ | $ 0.9716 | $ 5829.6 |
| 9000+ | $ 0.9268 | $ 8341.2 |
En stock: 66
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.5303
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RJU3052SDPD-E0#J2 información
Renesas Electronics RJU3052SDPD-E0#J2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-252
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):20A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.7 V @ 20 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:1 µA @ 360 V
- Capacitancia @ Vr, F:-
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):360 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):50 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
RJU3052SDPD-E0#J2 fornecido por Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation es un fabricante japonés de semiconductores que ofrece soluciones avanzadas de semiconductores para diversas aplicaciones en los sectores industrial, automotriz, de consumo y otros. La empresa fue fundada en 2003 como una empresa conjunta entre Hitachi, Mitsubishi Electric y NEC Electronics, y tiene su sede en Tokio, Japón. Renesas Electronics ofrece una amplia gama de productos y servicios, incluidos microcontroladores, microprocesadores, sistemas en chips (SoC), dispositivos analógicos y de potencia, dispositivos de memoria y diversos programas y herramientas para el desarrollo de sistemas. Estos productos se utilizan en diversas aplicaciones, como la automotriz, la industrial, los electrodomésticos, los dispositivos móviles y la atención médica. Además de sus productos de hardware, Renesas ofrece programas y herramientas para ayudar a los clientes a desarrollar e implementar sus propias soluciones. Su entorno de desarrollo integrado (IDE) e² studio admite varios idiomas y plataformas, y Renesas ofrece una gama de pilas de programas para diversas aplicaciones. Renesas tiene presencia global, con oficinas e instalaciones de fabricación en Asia, Europa y América.
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