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Infineon Technologies BSG0811NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
N.º de pieza del fabricante :BSG0811NDATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :BSG0811NDATMA1-DS
Ficha de datos :
BSG0811NDATMA1 Ficha de datos
BSG0811NDATMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.0080 | $ 1.01 |
| 10+ | $ 0.8973 | $ 8.97 |
| 50+ | $ 0.8946 | $ 44.73 |
| 100+ | $ 0.8784 | $ 87.84 |
| 200+ | $ 0.8766 | $ 175.32 |
En stock: 35999
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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BSG0811NDATMA1 información
Infineon Technologies BSG0811NDATMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- パワー - 最大:2.5W
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TISON-8
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- F E T機能:Logic Level Gate, 4.5V Drive
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):25V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:19A, 41A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:3mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:8.4nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1100pF @ 12V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSG0811NDATMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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