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Rochester Electronics DF120R12W2H3B27BOMA1
IGBT MOD 1200V 50A 180W
N.º de pieza del fabricante :DF120R12W2H3B27BOMA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :DF120R12W2H3B27BOMA1-DS
Ficha de datos :
DF120R12W2H3B27BOMA1 Ficha de datos
DF120R12W2H3B27BOMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 50A 180W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 30.8340 | $ 30.83 |
| 25+ | $ 30.2130 | $ 755.33 |
| 100+ | $ 28.9800 | $ 2898 |
| 500+ | $ 27.7470 | $ 13873.5 |
| 1000+ | $ 26.2080 | $ 26208 |
En stock: 4176
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 30.834
Total :$ 30.83
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DF120R12W2H3B27BOMA1 información
Rochester Electronics DF120R12W2H3B27BOMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:180 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):50 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.4V @ 15V, 40A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:2.35 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DF120R12W2H3B27BOMA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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