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Rochester Electronics DF150R12RT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 150A 790W
N.º de pieza del fabricante :DF150R12RT4HOSA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :DF150R12RT4HOSA1-DS
Ficha de datos :
DF150R12RT4HOSA1 Ficha de datos
DF150R12RT4HOSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 1200V 150A 790W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 82.4940 | $ 82.49 |
| 25+ | $ 80.8470 | $ 2021.18 |
| 100+ | $ 77.5440 | $ 7754.4 |
| 500+ | $ 74.2410 | $ 37120.5 |
| 1000+ | $ 70.1190 | $ 70119 |
En stock: 4284
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 82.494
Total :$ 82.49
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DF150R12RT4HOSA1 información
Rochester Electronics DF150R12RT4HOSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:790 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Single Chopper
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):150 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.15V @ 15V, 150A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:9.3 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:No
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DF150R12RT4HOSA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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