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Rochester Electronics FP75R07N2E4B11BOSA1
IGBT MODULE 650V 75A
N.º de pieza del fabricante :FP75R07N2E4B11BOSA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FP75R07N2E4B11BOSA1-DS
Ficha de datos :
FP75R07N2E4B11BOSA1 Ficha de datos
FP75R07N2E4B11BOSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MODULE 650V 75A
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 70.2540 | $ 70.25 |
| 25+ | $ 68.8500 | $ 1721.25 |
| 100+ | $ 66.0420 | $ 6604.2 |
| 500+ | $ 63.2250 | $ 31612.5 |
| 1000+ | $ 59.7150 | $ 59715 |
En stock: 1528
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 70.254
Total :$ 70.25
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FP75R07N2E4B11BOSA1 información
Rochester Electronics FP75R07N2E4B11BOSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):75 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.95V @ 15V, 75A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:4.6 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FP75R07N2E4B11BOSA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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