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Rochester Electronics FS100R07N3E4B11BOSA1
IGBT MOD 650V 100A 335W
N.º de pieza del fabricante :FS100R07N3E4B11BOSA1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :FS100R07N3E4B11BOSA1-DS
Ficha de datos :
FS100R07N3E4B11BOSA1 Ficha de datos
FS100R07N3E4B11BOSA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IGBT MOD 650V 100A 335W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 90.1890 | $ 90.19 |
| 25+ | $ 88.3890 | $ 2209.73 |
| 100+ | $ 84.7800 | $ 8478 |
| 500+ | $ 81.1710 | $ 40585.5 |
| 1000+ | $ 76.6620 | $ 76662 |
En stock: 1592
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 90.189
Total :$ 90.19
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FS100R07N3E4B11BOSA1 información
Rochester Electronics FS100R07N3E4B11BOSA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:335 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- 構成:Three Phase Inverter
- 入力:Standard
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):650 V
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:1 mA
- I G B Tタイプ:Trench Field Stop
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:1.95V @ 15V, 100A
- 入力容量 ( Cies) @ Vce:6.2 nF @ 25 V
- N T Cサーミスタ:Yes
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FS100R07N3E4B11BOSA1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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