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Onsemi H11G1SR2VM
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
N.º de pieza del fabricante :H11G1SR2VM
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :H11G1SR2VM-DS
Ficha de datos :
H11G1SR2VM Ficha de datos
H11G1SR2VM Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.0710 | $ 1.07 |
| 10+ | $ 0.9990 | $ 9.99 |
| 100+ | $ 0.7335 | $ 73.35 |
| 500+ | $ 0.6741 | $ 337.05 |
| 1000+ | $ 0.3699 | $ 369.9 |
En stock: 4560
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 1.071
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H11G1SR2VM información
Onsemi H11G1SR2VM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 100°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-SMD, Gull Wing
- 入力タイプ:DC
- 出力タイプ:Darlington with Base
- チャンネル数:1
- サプライヤーデバイスパッケージ:6-SMD
- 電流 - 出力 / チャンネル:-
- 電圧 - 絶縁:4170Vrms
- 上昇/下降時間（標準）:-
- 電圧 - 出力（最大）:100V
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):1.3V
- 電流 - D C順方向（ If）（最大）:60 mA
- 電流伝達比（最小）:1000% @ 10mA
- 電流伝達比（最大）:-
- オン/オフ時間（標準）:5µs, 100µs
- Vce 飽和度 (最大):1V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.49.8000
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
H11G1SR2VM fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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