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Rochester Electronics HGT1S3N60B3DS
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
N.º de pieza del fabricante :HGT1S3N60B3DS
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :HGT1S3N60B3DS-DS
Ficha de datos :
HGT1S3N60B3DS Ficha de datos
HGT1S3N60B3DS Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.6825 | $ 0.68 |
| 25+ | $ 0.6688 | $ 16.72 |
| 100+ | $ 0.6415 | $ 64.15 |
| 500+ | $ 0.6143 | $ 307.15 |
| 1000+ | $ 0.5801 | $ 580.1 |
En stock: 1550
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.6825
Total :$ 0.68
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HGT1S3N60B3DS información
Rochester Electronics HGT1S3N60B3DS especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:33.3 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AB
- 逆回復時間 (trr):28 ns
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):7 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 3.5A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):20 A
- エネルギーの切り替え:66µJ (on), 88µJ (off)
- ゲートチャージ:18 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:18ns/105ns
- テスト条件:480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HGT1S3N60B3DS fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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