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Onsemi HGTG11N120CN
IGBT 1200V 43A 298W TO247
- N.º de pieza del fabricante :HGTG11N120CN
- Fabricante :Onsemi
- Dasenic Número de pieza :HGTG11N120CN-DS
- Ficha de datos :
HGTG11N120CN Ficha de datos - Descripción : IGBT 1200V 43A 298W TO247
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 1.908Total : $ 1.91
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
- Entrega :
- Pago :
En stock: 5826
( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1 + | $ 1.9080 | $ 1.91 |
| 25 + | $ 1.8720 | $ 46.80 |
| 100 + | $ 1.7910 | $ 179.10 |
| 500 + | $ 1.7190 | $ 859.50 |
| 1000 + | $ 1.6200 | $ 1620.00 |
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Onsemi HGTG11N120CN especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-3
Tipo de entrada:Standard
Potencia - Máxima:298 W
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3
Tiempo de recuperación inversa (trr):-
Corriente - Colector ( Ic) ( Máx.):43 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.):1200 V
Tipo I G B T:NPT
Vce(encendido) ( Máx.) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 11A
Corriente - Colector Pulsado ( Icm):80 A
Cambio de energía:400µJ (on), 1.3mJ (off)
Cargo por entrada:100 nC
Td (encendido/apagado) a 25 ° C:23ns/180ns
Condición de prueba:960V, 11A, 10Ohm, 15V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Onsemi HGTG11N120CN
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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