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Rochester Electronics HUF76107D3ST
N-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :HUF76107D3ST
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :HUF76107D3ST-DS
Ficha de datos :
HUF76107D3ST Ficha de datos
HUF76107D3ST Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.2828 | $ 0.28 |
| 25+ | $ 0.2771 | $ 6.93 |
| 100+ | $ 0.2658 | $ 26.58 |
| 500+ | $ 0.2545 | $ 127.25 |
| 1000+ | $ 0.2404 | $ 240.4 |
En stock: 14190
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.2828
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HUF76107D3ST información
Rochester Electronics HUF76107D3ST especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
- 消費電力（最大）:35W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:52mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10.3 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:315 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HUF76107D3ST fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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