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Rochester Electronics IRFR430BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
N.º de pieza del fabricante :IRFR430BTM
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :IRFR430BTM-DS
Ficha de datos :
IRFR430BTM Ficha de datos
IRFR430BTM Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : N-CHANNEL POWER MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.2340 | $ 0.23 |
| 25+ | $ 0.2293 | $ 5.73 |
| 100+ | $ 0.2200 | $ 22 |
| 500+ | $ 0.2106 | $ 105.3 |
| 1000+ | $ 0.1989 | $ 198.9 |
En stock: 16803
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Total :$ 0.23
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IRFR430BTM información
Rochester Electronics IRFR430BTM especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-3 (DPAK)
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3.5A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.75A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:33 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1050 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRFR430BTM fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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