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Rochester Electronics NTMD3N08LR2
MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :NTMD3N08LR2
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :NTMD3N08LR2-DS
Ficha de datos :
NTMD3N08LR2 Ficha de datos
NTMD3N08LR2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.2048 | $ 0.2 |
| 25+ | $ 0.2007 | $ 5.02 |
| 100+ | $ 0.1925 | $ 19.25 |
| 500+ | $ 0.1843 | $ 92.15 |
| 1000+ | $ 0.1741 | $ 174.1 |
En stock: 10845
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.2048
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NTMD3N08LR2 información
Rochester Electronics NTMD3N08LR2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:3.1W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.3A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:215mOhm @ 2.5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:15nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:480pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NTMD3N08LR2 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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