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Nexperia USA Inc. PMPB10XNEAX
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
N.º de pieza del fabricante :PMPB10XNEAX
Fabricante :Nexperia USA Inc.
Dasenic Número de pieza :PMPB10XNEAX-DS
Ficha de datos :
PMPB10XNEAX Ficha de datos
PMPB10XNEAX Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.1182 | $ 0.12 |
| 25+ | $ 0.1158 | $ 2.9 |
| 100+ | $ 0.1111 | $ 11.11 |
| 500+ | $ 0.1064 | $ 53.2 |
| 1000+ | $ 0.1004 | $ 100.4 |
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MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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PMPB10XNEAX información
Nexperia USA Inc. PMPB10XNEAX especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-UDFN Exposed Pad
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DFN2020MD-6
- 消費電力（最大）:1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:14mOhm @ 9A, 4.5V
- Vgs(th) (最大) @ Id:0.9V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:34 nC @ 4.5 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2175 pF @ 10 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:1.8V, 4.5V
- Vgs (最大):±12V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PMPB10XNEAX fornecido por Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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