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Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
N.º de pieza del fabricante :RQ3E080BNTB
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :RQ3E080BNTB-DS
Ficha de datos :
RQ3E080BNTB Ficha de datos
RQ3E080BNTB Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 5+ | $ 0.2322 | $ 1.16 |
| 50+ | $ 0.1647 | $ 8.24 |
| 100+ | $ 0.0757 | $ 7.57 |
| 200+ | $ 0.0756 | $ 15.12 |
| 500+ | $ 0.0697 | $ 34.85 |
En stock: 39600
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.2322
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RQ3E080BNTB información
Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSMT (3.2x3)
- 消費電力（最大）:2W (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:15.2mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14.5 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:660 pF @ 15 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RQ3E080BNTB fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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