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Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1

NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :RS6G120BGTB1
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :RS6G120BGTB1-DS
Referencia de cliente :
Descripción : NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
10+$ 0.1701$ 1.7
2500+$ 0.0945$ 236.25
5000+$ 0.0944$ 472
En stock: 24000
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.1701
Total :$ 0.17
Entrega :
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Pago :
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RS6G120BGTB1 información

  • Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSOP
  • 消費電力(最大):104W (Ta)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.34mOhm @ 90A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:67 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4240 pF @ 20 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
  • Vgs (最大):±20V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RS6G120BGTB1 fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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