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Rohm Semiconductor RV8C010UNHZGG2CR

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :RV8C010UNHZGG2CR
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :RV8C010UNHZGG2CR-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
5+$ 0.3861$ 1.93
50+$ 0.2601$ 13.01
100+$ 0.1773$ 17.73
200+$ 0.1764$ 35.28
500+$ 0.1404$ 70.2
En stock: 8706
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 0.3861
Total :$ 0.39
Entrega :
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Pago :
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RV8C010UNHZGG2CR información

  • Rohm Semiconductor RV8C010UNHZGG2CR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:3-XFDFN
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DFN1010-3W
  • 消費電力(最大):1W
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1A (Ta)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:470mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 1mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:40 pF @ 10 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
  • Vgs (最大):±8V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RV8C010UNHZGG2CR fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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